키오시아-샌디스크, 4.8Gb/s NAND 인터페이스 속도를 실현하는 차세대 3D 플래시 메모리 기술 공개

키오시아(Kioxia Corporation)와 샌디스크(Sandisk Corporation)가 최첨단 3D 플래시 메모리 기술을 개척해 4.8Gb/s의 낸드(NAND) 인터페이스 속도, 뛰어난 전력 효율, 높은 밀도로 업계 벤치마크를 설정했다.

ISSCC 2025에서 공개된 새로운 3D 플래시 메모리 혁신과 양사의 혁명적인 ‘CMOS 직접 어레이 결합(CMOS directly Bonded to Array, CBA)’ 기술[1]이 결합되어 최신 인터페이스 표준 중 하나인 NAND 플래시 메모리용 토글 DDR6.0(Toggle DDR6.0)을 통합하고, 인터페이스의 새로운 명령 주소 입력 방식인 별도 명령 주소(Separate Command Address, SCA) 프로토콜[2] 및 전력 소비를 더욱 줄이는 데 필수적인 전력 절연 로우 탭 터미네이션(Power Isolated Low-Tapped Termination, PI-LTT) 기술[3]을 활용한다.

양사는 이 독보적인 고속 기술을 활용해 새로운 3D 플래시 메모리가 현재 양산되는 기존 8세대 3D 플래시 메모리와 비교해 NAND 인터페이스 속도 면에서 33%의 개선을 달성해 4.8Gb/s 인터페이스 속도에 도달할 것으로 예상하고 있다. 또한 이 기술은 데이터 입출력의 전력 효율도 향상시켜 입력은 10%, 출력의 경우 34%의 전력 소비를 줄임으로써 고성능과 저전력 소비의 균형을 달성한다. 10세대 3D 플래시 메모리의 프리뷰를 공개하면서 양사는 메모리 레이어 수를 332개로 늘리고 평면 밀도를 높이도록 칩 설계를 최적화함으로써 비트 밀도를 59% 향상시켰다고 자세히 설명했다.

키오시아 최고기술책임자인 미야지마 히데시(Hideshi Miyajima)는 “AI 기술이 확산되면서 생성되는 데이터의 양이 크게 증가할 것으로 예상되고, 최신 데이터 센터의 전력 효율에 대한 필요성도 늘게 될 것이다. 키오시아는 이 새로운 기술이 미래 스토리지 솔루션을 위한 더 큰 용량, 더 빠른 속도, 더 낮은 전력 소비의 SSD 제품을 가능하게 만들고, AI 개발의 토대를 마련할 것으로 확신한다”라고 말했다.

샌디스크의 글로벌 전략 및 기술 담당 수석부사장인 알퍼 일크바하르(Alper Ilkbahar)는 “AI가 발전함에 따라 메모리에 대한 고객의 요구 사항이 점점 더 다양해지고 있다. CBA 기술 혁신을 통해 우리는 용량, 속도, 성능, 자본 효율성 측면에서 최적의 조합을 제공하는 제품을 출시해 다양한 시장 부문에 걸쳐 고객 만족을 실현하고자 한다”라고 말했다.

키오시아와 샌디스크는 또한 예정된 9세대 3D 플래시 메모리 출시에 대한 계획도 공유했다. 양사는 고유한 CBA 기술을 통해 새로운 CMOS 기술과 기존 메모리 셀 기술을 결합해 자본 효율적인 고성능 저전력 제품을 제공할 수 있다. 양사는 계속해서 최첨단 플래시 메모리 기술을 개발하고 고객의 요구를 충족하는 맞춤형 솔루션을 제공하며 디지털 사회의 발전에 기여하기 위해 최선을 다하고 있다.

키오시아 소개

키오시아(Kioxia)는 플래시 메모리 및 솔리드 스테이트 드라이브(SSD)의 개발, 생산 및 판매에 전념하는 메모리 솔루션 분야의 세계적 리더다. 2017년 4월 그 전신인 도시바 메모리(Toshiba Memory)는 1987년 낸드(NAND) 플래시 메모리를 발명한 회사인 도시바(Toshiba Corporation)에서 스핀오프했다. 키오시아는 고객이 만족하는 선택과 사회를 위한 ‘메모리’ 기반 가치를 창출하는 제품, 서비스 및 시스템을 제공함으로써 메모리로 세상을 발전시키는 데 전념하고 있다. 키오시아의 혁신적인 3D 플래시 메모리 기술인 BiCS FLASH™는 고급 스마트폰, PC, 자동차 시스템, 데이터 센터 및 생성형 AI 시스템을 포함한 고밀도 애플리케이션에서 스토리지의 미래를 만들어가고 있다.

샌디스크 소개

샌디스크(Sandisk)는 혁신적인 플래시 솔루션과 첨단 메모리 기술을 제공해 열망과 순간이 교차하는 지점에서 개인과 기업을 만나 이들이 계속 움직이고 가능성을 발전시킬 수 있도록 지원한다. 샌디스크는 웨스턴디지털(Western Digital, 나스닥: WDC)의 완전 소유 자회사다. 샌디스크 팔로우: 인스타그램, 페이스북, X, 링크드인, 유튜브, 인스타그램에서 TeamSandisk에 가입하세요.

1. 각 CMOS 웨이퍼와 셀 어레이 웨이퍼를 최적화된 상태로 개별적으로 제조한 후 함께 접착하는 기술이다.
2. 명령/주소 입력용 버스와 데이터 전송용 버스를 서로 다른 버스로 완전히 분리하고 병렬로 사용하는 기술이다. 이렇게 하면 데이터 입출력 시간이 단축된다.
3. 기존 1.2V용 전원과 추가로 더 낮은 전압을 NAND 인터페이스 전원으로 활용하는 기술이며, 이를 통해 데이터 입출력 시 전력 소비를 줄일 수 있다.

* 1Gbps는 10억비트/초로 계산된다. 이 값은 특정 테스트 환경에서 얻은 값이며 사용 조건에 따라 달라질 수 있다.

* 회사명, 제품명 및 서비스명은 제3자 회사의 상표일 수 있다.

미래예측진술

본 보도자료에는 샌디스크의 기술 및 제품의 가용성, 기능 및 영향에 대한 기대치와 관련된 진술을 포함해 미국 연방증권법의 의미 내에서 미래예측진술이 포함돼 있다. 이러한 미래예측진술은 경영진의 현재 기대치를 기반으로 하며, 실제 결과가 미래예측진술에 명시되거나 암시된 것과 실질적으로 달라지게 만들 수 있는 위험 및 불확실성의 영향을 받는다.

실제 결과가 미래예측진술에 명시되거나 암시된 것과 크게 달라지게 만들 수 있는 주요 위험 및 불확실성에는 다음이 포함된다. △웨스턴디지털(Western Digital Corporation)의 플래시 사업을 샌디스크로 스핀오프하는 과정에서 발생하는 운영, 재무 및 법적 문제와 어려움, △독립적인 플래시 사업의 향후 운영 결과, △정부 기관이 필요한 승인을 금지, 지연 또는 거부하는 등 분사 조건이 충족되지 않을 가능성을 포함해 스핀오프가 예상되는 조건과 일정에 따라 완료될지 여부 또는 아예 완료되지 않는 경우, △예상 기간 내에 예상 이익이 전부 실현되거나 전혀 실현되지 않을 가능성을 포함한 스핀오프의 예상 이익 및 비용, △스핀오프의 발표 및 완료에서 기인하는 고객, 공급업체 또는 기타 파트너와의 관계에 대한 잠재적인 부정적 반응 또는 변화, △스핀오프 발표 또는 완료에 대한 경쟁사의 대응, △스핀오프로 인한 예상치 못한 비용, 부채, 청구 또는 비용, △스핀오프와 관련된 소송, △스핀오프로 인한 핵심 인력 유지 불가, 스핀오프로 인한 지속적인 사업 운영의 경영 시간 중단, △지정학적 분쟁이 사업에 미치는 영향, △일반적인 경제 및/또는 산업별 상황의 변화, △기타 스핀오프에 영향을 미칠 수 있는 다른 경제, 경쟁, 법률, 정부, 기술적 요인 및 2025년 1월 27일 미국 증권거래위원회(SEC)에 제출된 샌디스크의 양식 10 등록 명세서 별첨 99.1에 첨부된 최종 정보 진술서에 명시된 기타 위험 및 불확실성(SEC 웹사이트(www.sec.gov)에서 확인 가능) 등이다. 본 문서의 날짜를 기준으로 한 이러한 미래예측진술에 부당하게 의존해서는 안되며, 샌디스크는 법에서 요구하는 경우를 제외하고 새로운 정보나 사건을 반영하기 위해 이러한 미래예측진술을 업데이트하거나 수정할 의무를 지지 않는다.

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사진/멀티미디어 자료 : https://www.businesswire.com/news/home/54209658/en

웹사이트: https://www.kioxia.com/en-jp/top.html